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度亘核芯副董事长杨国文荣获“维科杯·OFweek2023年度激光行业杰出人物奖”

2023-08-31 13:45:37    来源:

由高科技行业门户OFweek维科网主办、OFweek维科网·激光承办的“维科杯·OFweek2023激光行业年度评选”于8月30日在中国·深圳举办。今年评选共设立11大奖项,本着“公平、公正、公开”的原则,经过行业用户的网络投票,以及特邀行业专家的多维度的评选,最终,度亘核芯光电技术(苏州)有限公司董事长杨国文一举夺得“维科杯·OFweek2023年度激光行业杰出人物奖”。


(资料图)

度亘核芯光电技术(苏州)有限公司成立于2017年5月,注册资本2.3亿元,公司以高端激光芯片的设计与制造为核心竞争力,聚焦光电产业链上游,拥有覆盖化合物半导体激光器芯片设计、外延生长、器件工艺、芯片封装、测试表征、可靠性验证以及功能模块等全套工程技术能力和量产制造能力,专注于高性能、高功率、高可靠性光电芯片及器件的设计、研发和制造。

杨国文,系中国科学院半导体研究所博士,美国犹他大学电子工程系博士后,国家重大人才计划工程特聘专家,江苏省双创人才、姑苏创新创业重大创新团队领军人才、苏州工业园区重大领军人才。杨国文博士作为国际顶级公司半导体激光器芯片专家,拥有34年半导体激光芯片及器件研究与开发经历,现任度亘核芯光电技术(苏州)有限公司副董事长及首席技术官(CTO),全面负责公司产品研发、产品规划以及前瞻性技术储备。

杨国文博士拥有 10 年中国科学院半导体研究所的研究经历,在海外知名龙头企业康宁Corning公司(美国500强)和JDSU公司(美国著名通讯公司,后改名Lumentum)拥有15年的新产品开发经验,期间作为主要研发负责人,完成了十多项非常具有挑战性的科研和新产品开发项目, 取得了多项国际领先的成果。

杨博士是教育部首批“全国优秀博士论文奖”、中国科学院“院长奖学金特别奖”和美国JDSU总裁杰岀成就奖“ArcherAward”的获得者;2013年入选中国科学院“百人计划”,2015年入选国家特聘专家。近年来公开发表学术论文80余篇,授权国家发明专利70余件,获得各类成果奖励与荣誉20余项。

杨国文博士于2013年回国,立志攻关高端半导体激光芯片与器件的国产化。2017 年在苏州联合创办度亘核芯光电技术(苏州)有限公司,研发出高端大功率 980nm/976nm/915nm 和 8XXnm 单管和巴条系列产品,在高效率、大功率、高光束质量等方面取得了众多国际领先的成果。产品主要应用于光通讯、科研、3D 感知、工业加工等领域,为解决国内相关产业的无芯之痛与促进新兴产业的发展做出了突出贡献。

他在半导体光电子领域的全产业链包括芯片设计、高质量材料生长、芯片制备工艺、测试表征分析、可靠性与失效分析等方面均取得了卓越的业绩与成就,主要创新成果如下:

1)1992年,在中国科学院半导体研究所开展了极低阈值半导体激光芯片的研制,成功解决了AIGaAs的氧化难题,取得了阈值电流低达1.55mA激光器的突破,一跃成为国际最高水平,被评为中国十大科技新闻之一和中国科学院科技进步一等奖;

2)1996年,针对MBE 高质量外延材料生长,在国内率先实现了阈值电流密度低于10OA/cm2的高性能激光外延材料开发,取得了突破性进展,达到当时国际最好水平。荣获教育部首届全国优秀博士论文奖(本领域唯一), 中国科学院科技进步一等奖;

3)2003年,在美国Corning公司主持开发了当时国际最高功率的单模980nm激光芯片,功率翻倍提升,满足了客户对功率提高的急切需求,取得了蛙跳式突破,使得 Corning一跃成为当时的行业领导者,并因此荣获公司杰岀贡献奖;

4)2006年,在美国JDSU公司主持完成了660mW 980nm单模泵浦源芯片。随后于2011年主持开发出990mW的高功率芯片,确立了JDSU在高功率高可靠性980nm泵浦源方面的世界领导地位,为公司创造产值数亿美元,因此荣获公司总裁杰岀成就奖;

5)2019年,担任度亘核芯光电技术(苏州)有限公司首席技术官,此后荣获苏州工业园区重大领军人才、江苏省“双创人才”(2020年)、姑苏领军重大团队领军人才(2021年)。

5)2021年,主导开发岀的高效率高功率高亮度 976nm和808nm多模半导体激光芯片,在中国光学工程学会组织并由陈良惠院士和范滇元院士担任主任委员的产品鉴定会上,产品被认定为达到"国内领先、国际先进"水平,同时荣获光学工程学会第七届科技创新奖-科技进步二等奖;

5)2022年,主导开发出通信级单模980nm激光芯片与模块技术成果,在经由4位院士参与的成果评价会上,与会的评价委员会一致认为“该项目技术难度很高、结构和工艺方面创新性强、经济社会效益显著,成果整体技术处于国际先进、国内领先水平,其中在电光转换效率和模块光谱带宽方面达到国际领先水平”。同年11月,通信级高功率单模980nm半导体激光芯片及泵浦模块产品重磅发布。

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